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达能科技生产之多晶硅芯片转换效率平均高达17.8%以上,另成功量产之特高效多晶硅芯片于客户之特定制程其转换率可达18.6%以上,同时拥有160~180μm的薄型芯片切片技术,及多项长晶技术之专利,销售对象主要为台湾、欧洲及亚洲等国内外一级优质客户;达能科技除了以自有品牌销售太阳能硅芯片外,亦提供客制化的芯片代工服务,是台湾少数具备超高效多晶硅(Multi-crystalline)芯片生产技术的专业制造商...了解我们的研发技术能力





达能科技生产基地位于桃园市观音区,多晶硅芯片转换效率平均高达17.8%以上,另成功量产之特高效多晶硅芯片转换率可达18.6%;在长晶产能方面,达能芯片一厂年产能为120MW、芯片二厂已于2011年第二季完成,满产能为210MW,再加上芯片三厂220MW,届时产能可达550MW...了解我们的生产技术



Note: 1.This specification is subject to update without notice.
2.Contact our sales representative for detail information.
Physical
Crystalline Multi-Crystalline
Type/Dopant P/Boron
Electrical
Lifetime >= 1us
Resistivity 0.5~3.0 Ohm-cm
Mechanical
Dimension 156 ± 0.5 * 156 ± 0.5mm
TTV <30 um
Average Wafer Thickness Nominal thickness ± 10% (200 um or 180 um)