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達能科技生產之多晶矽晶片轉換效率平均高達17.8%以上,另成功量產之特高效多晶矽晶片於客戶之特定製程其轉換率可達18.6%以上,同時擁有160~180μm的薄型晶片切片技術,及多項長晶技術之專利,銷售對象主要為台灣、歐洲及亞洲等國內外一級優質客戶;達能科技除了以自有品牌銷售太陽能矽晶片外,亦提供客製化的晶片代工服務,是台灣少數具備超高效多晶矽(Multi-crystalline)晶片生產技術的專業製造商...了解我們的研發技術能力





達能科技生產基地位於桃園市觀音區,晶片轉換效率平均高達17.8%以上,另成功量產之特高效多晶矽晶片於客戶之特定製程其轉換率可達18.6%以上;在長晶產能方面,達能晶片一廠年產能為120MW,晶片二廠已於2011年第二季完成,滿產能為210MW,再加上晶片三廠220MW,屆時產能可達 550 MW...了解我們的生產技術


Note: 1.This specification is subject to update without notice.
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Physical
Crystalline Multi-Crystalline
Type/Dopant P/Boron
Electrical
Lifetime >= 1us
Resistivity 0.5~3.0 Ohm-cm
Mechanical
Dimension 156 ± 0.5 * 156 ± 0.5mm
TTV <30 um
Average Wafer Thickness Nominal thickness ± 10% (200 um or 180 um)